磁阻效应膜与旋阀再生头
专利号：03119853 发起人：富士通株式会社 发布时间：2006-9-14 专利类型：发明专利
摘要
| 旋阀再生头具有磁道宽度小和稳定性高的特点。旋阀再生头包括：基层，包含磁感应部分的磁阻效应膜，在磁阻效应膜两侧形成的偏磁部分，端子部分，覆盖于所述组成部分之上的绝缘层，在绝缘层之上形成的顶层屏蔽层。磁阻效应膜按叠置次序包含固定磁层、无磁层、自由磁层。无磁导电层和蚀刻阻挡层依次堆叠在自由磁层之上，无磁导电层的电阻率比自由磁层的低，蚀刻阻挡层的溅射速率高于钽的、低于铜的。 |
| 1.磁阻效应膜，包括按顺序堆叠的固定磁层、无磁层和自由磁层，其中无磁导电层和蚀刻阻挡层依次堆叠在所述自由磁层之上，无磁导电层的电阻率比所述自由磁层的低，蚀刻阻挡层的溅射速率高于钽的、低于铜的。 |
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